FDMC8200
PDF資料下載

FDMC8200參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
特色產(chǎn)品： FDMC8200DualMOSFETforSynchronousBuckDesigns
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8A，12A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：20毫歐@6A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：660pF@15V
功率-最大值：700mW，900mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-Power33（3x3）