FDM606P
PDF資料下載

FDM606P參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：6.8A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：30 毫歐 @ 6.8A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2200pF @ 10V
功率 - 最大值：1.92W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-MLP，MicroFET?
供應(yīng)商器件封裝：8-MLP，MicroFET（3x2）