FDI045N10A
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FDI045N10A參數：MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：50
系列：PowerTrench®
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：120A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.5 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：74nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5270pF @ 50V
功率 - 最大值：263W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3（直引線）
供應商器件封裝：TO-262-3