FDD6N20TM參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：UniFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：800毫歐@2.3A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：6.1nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：230pF@25V功率-最大值：40W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
