FDD4N60NZ
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FDD4N60NZ參數(shù)：MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準包裝：2,500
系列：UniFET-II™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：3.4A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.5 歐姆 @ 1.7A， 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10.8nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：510pF @ 25V
功率 - 最大值：114W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：D-Pak