FDC658P
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FDC658P參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008
標準包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：50毫歐@4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：750pF@15V
功率-最大值：800mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-23-6細型，TSOT-23-6
供應商器件封裝：6-SSOT