FDC6322C參數(shù)：MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：220mA，460mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4歐姆@400mA，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：0.7nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：9.5pF@10V功率-最大值：700mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6細(xì)型，TSOT-23-6供應(yīng)商器件封裝：6-SSOT
