FDC5612參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008標準包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：55毫歐@4.3A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：18nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：650pF@25V功率-最大值：800mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6細型，TSOT-23-6供應(yīng)商器件封裝：6-SSOT