FDB8444TS
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FDB8444TS參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
PCNObsolescence： MultipleDevices13/Aug/2010
標準包裝：800
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：70A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5毫歐@70A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：338nC@20V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：8410pF@25V
功率-最大值：181W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-5，D²Pak（4引線+接片），TO-263BB
供應商器件封裝：D²PAK