FDB6670AS
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FDB6670AS參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝：800
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：62A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8.5毫歐@31A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：39nC@15V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1570pF@15V
功率-最大值：62.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：TO-263AB