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FDB6021P參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：28A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：30毫歐@14A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：28nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1890pF@10V功率-最大值：37W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：TO-263AB
