FC6546010R參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 100MA SMINI6-F3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：100mA不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12 歐姆 @ 10mA，4V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：12pF @ 3V功率 - 最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：SMini6-F3-B
