DTC115TMT2L參數(shù)：SMALL SIGNAL SURFACE-MT SILICON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式標(biāo)準(zhǔn)包裝：8,000系列：-包裝：帶卷 (TR)晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：100k電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)：-不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V不同?Ib、Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 100µA，1mA電流 - 集電極截止（最大值）：500nA（ICBO）頻率 - 躍遷：250MHz功率 - 最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-723供應(yīng)商器件封裝：VMT3
