DMP2069UFY4-7參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：54毫歐@2.5A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：9.1nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：214pF@10V功率-最大值：530mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-XFDFN供應(yīng)商器件封裝：DFN2015H4-3
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