DMN100-7參數：MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.1A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：240 毫歐 @ 1A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：5.5nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：150pF @ 10V功率 - 最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：SC-59-3
