DMN66D0LDW-7
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DMN66D0LDW-7參數(shù)：MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
其它圖紙： SOT-363PackageTop SOT-363PackageSide1 SOT-363PackageSide2
PCNDesign/Specification： BondWire23/May/2008 BondWire11/Nov/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：115mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6歐姆@115mA，5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：23pF@25V
功率-最大值：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SOT-363