DMN63D8LDW-7
PDF資料下載

DMN63D8LDW-7參數：MOSFET N CH DL 30V 220MA SOT363

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：220mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.8 歐姆 @ 250mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.87nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：22pF @ 25V
功率 - 最大值：300mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SOT-363