DMN62D0LFB-7B
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DMN62D0LFB-7B參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：100mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2歐姆@100mA，4V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：0.45nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：32pF@25V
功率-最大值：470mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：3-UFDFN
供應(yīng)商器件封裝：3-X1DFN1006