DMN5L06DW-7參數(shù)：MOSFET N-CHAN DUAL 200MW SOT-363
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列其它圖紙： SOT-363PackageTop SOT-363PackageSide1 SOT-363PackageSide2PCNOther： MultipleChanges14/May/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：50V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：280mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3歐姆@200mA，2.7V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：50pF@25V功率-最大值：200mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應(yīng)商器件封裝：SOT-363
