DMN2112SN-7
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DMN2112SN-7參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： SC-59PackageTop
PCNDesign/Specification： BondWire3/May/2011
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：100毫歐@500mA，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：220pF@10V
功率-最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SC-59-3