DMN2015UFDE-7
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DMN2015UFDE-7參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：10.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：11.6毫歐@8.5A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：45.6nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1779pF@10V
功率-最大值：660mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-UDFN
供應(yīng)商器件封裝：*