DMN2009LSS-13
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DMN2009LSS-13參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8毫歐@12A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：58.3nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2555pF@10V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP