DMG6898LSD-13
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DMG6898LSD-13參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 9.5A SO8

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類(lèi)型：2個(gè)N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：9.5A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：16毫歐@9.4A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：26nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1149pF@10V
功率-最大值：1.28W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO