DMG4710SSS-13
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DMG4710SSS-13參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 12.7A SO8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：SiMFET
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，肖特基，金屬氧化物!
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8.8A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：12.5毫歐@11.7A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：43nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1849pF@15V
功率-最大值：1.54W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP