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DMG1012T-7參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：630mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：400毫歐@600mA，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：0.74nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：60.67pF@16V功率-最大值：280mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-523供應(yīng)商器件封裝：SOT-523
