DMC6070LFDH-7參數(shù)：MOSF N-P CH 60V 3.1A, 2.4A POWER
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013標準包裝：3,000系列：POWERDI®包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3.1A，2.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：85毫歐@1.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：11.5nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：731pF@20V功率-最大值：1.4W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerVDFN供應商器件封裝：PowerDI3030-8
