CSD25401Q3參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： NexFETMOSFETTechnology視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：NexFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：60A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：11.7毫歐@10A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12.3nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1400pF@10V功率-最大值：2.8W安裝類型：表面貼裝封裝：8-TDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-SON
<pre id="22su4"></pre>
<menu id="22su4"></menu>
