CSD23201W10
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CSD23201W10參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： NexFETMOSFETTechnology
視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：NexFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：12V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：82毫歐@500mA，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.4nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：325pF@6V
功率-最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：4-UFBGA，DSBGA
供應(yīng)商器件封裝：4-DSBGA（1x1）