CSD17313Q2Q1
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CSD17313Q2Q1參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 5A 6SON

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
設(shè)計資源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer
標準包裝：3,000
系列：NexFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：30毫歐@4A，8V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.8V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.7nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：340pF@15V
功率-最大值：2.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-WDFN裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：6-SON（2x2）