CSD16556Q5B參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：2,500系列：NexFET™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：25V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：100A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.07 毫歐 @ 30A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.7V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：47nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：6180pF @ 15V功率 - 最大值：3.2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-TDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-SON（5x6）
