CSD16301Q2
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CSD16301Q2參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 6-SON

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： NexFETMOSFETTechnology
視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview
設(shè)計資源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer
標準包裝：3,000
系列：NexFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：25V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：24毫歐@4A，8V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.55V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.8nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：340pF@12.5V
功率-最大值：2.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：6-SON