BSO200N03參數(shù)：MOSFET N-CHAN 30V 6.6A DSO-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：6.6A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 7.9A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 13µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：8nC @ 5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1010pF @ 15V功率 - 最大值：1.4W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8
INFINEONSOP82023+4964原裝現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢(shì)
