BSO080P03NS3E G參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：12A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 14.8A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 150µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：81nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：6750pF @ 15V功率 - 最大值：1.6W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8
