BSM180D12P2C101參數(shù)：SIC PWR MOD DMOS HALF BRIDGE
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：*包裝：散裝FET 類型：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅 (SiC)漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：180A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：-不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35.2mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：23000pF @ 10V功率 - 最大值：1130W安裝類型：*封裝：模塊供應(yīng)商器件封裝：模塊
