BSC200P03LS G
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BSC200P03LS G參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
標(biāo)準包裝：5,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：20毫歐@12.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.2V@100µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：48.5nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2430pF@15V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）