BSC196N10NS G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：45A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：19.6 毫歐 @ 45A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 42µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：34nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2300pF @ 50V功率 - 最大值：78W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應商器件封裝：PG-TDSON-8
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