<dfn id="66wqc"></dfn>
BSC084P03NS3E G參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：14.9A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8.4 毫歐 @ 50A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 110µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：57.7nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4240pF @ 15V功率 - 最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8
