AUIRLL2705TR參數(shù)：MOSFET N CH 55V 3.8A SOT223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：55V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3.8A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：40毫歐@3.8A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：48nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：870pF@25V功率-最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：SOT-223
