AUIRFR540ZTR參數(shù)：MOSFET N CH 100V 35A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：35A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：28.5毫歐@21A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@50µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：59nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1690pF@25V功率-最大值：91W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：DPAK
