AUIRFR4105TR
PDF資料下載

AUIRFR4105TR參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 20A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
標(biāo)準包裝：2,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準
漏源極電壓(Vdss)：55V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：20A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：45毫歐@16A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：34nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：700pF@25V
功率-最大值：68W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：D-Pak