AUIRFR120ZTR
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AUIRFR120ZTR參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
標準包裝：2,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8.7A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：190毫歐@5.2A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@25µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：310pF@25V
功率-最大值：35W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：D-Pak