AUIRF7647S2TR
PDF資料下載

AUIRF7647S2TR參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設(shè)計資源： AUIRF7647S2TR1SaberModel AUIRF7647S2TR1SpiceModel
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,800
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：31毫歐@14A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@50µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：21nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：910pF@25V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET?等距SC
供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET?SC