AUIRF6218STRR參數(shù)：MOSFET P CH 150V 27A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：150V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：27A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：150毫歐@16A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：110nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2210pF@25V功率-最大值：250W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：D²PAK