APTM50DHM35G參數(shù)：MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-包裝：散裝FET 類型：2 N 溝道（非對稱橋）FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：500V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：99A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：39 毫歐 @ 49.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：280nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：14000pF @ 25V功率 - 最大值：781W安裝類型：底座安裝封裝：SP6供應(yīng)商器件封裝：SP6
