APTM10HM09FT3G
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APTM10HM09FT3G參數(shù)：MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3

類別：半導(dǎo)體模塊-FET
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：139A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10 毫歐 @ 69.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：350nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9875pF @ 25V
功率 - 最大值：390W
安裝類型：底座安裝
封裝：SP3
供應(yīng)商器件封裝：SP3