APTGT50DA120TG參數(shù)：IGBT 1200V 75A 277W SP4
類別：半導體模塊-IGBT標準包裝：1系列：-IGBT 類型：溝道和場截止配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.1V @ 15V，50A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：75A電流 - 集電極截止（最大值）：250µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：3.6nF @ 25V功率 - 最大值：277W輸入：標準NTC 熱敏電阻：是安裝類型：底座安裝封裝：SP4供應商器件封裝：SP4
