APTGT35DA120D1G
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APTGT35DA120D1G參數(shù)：IGBT 1200V 55A 205W D1

類別：半導體模塊-IGBT
標準包裝：1
系列：-
IGBT 類型：溝道和場截止
配置：單一
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.1V @ 15V，35A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：55A
電流 - 集電極截止（最大值）：5mA
不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：2.5nF @ 25V
功率 - 最大值：205W
輸入：標準
NTC 熱敏電阻：無
安裝類型：底座安裝
封裝：D1
供應商器件封裝：D1