APTGF75DA60D1G參數(shù)：IGBT 600V 100A 355W D1
類別：半導體模塊-IGBT標準包裝：1系列：-IGBT 類型：NPT配置：單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.45V @ 15V，75A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100A電流 - 集電極截止（最大值）：500µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：3.3nF @ 25V功率 - 最大值：355W輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：D1供應商器件封裝：D1
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