APTC60AM45B1G
PDF資料下載

APTC60AM45B1G參數(shù)：MOSFET N CH 600V 49A SP1

類別：半導(dǎo)體模塊-FET
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
系列：CoolMOS™
包裝：散裝
FET 類型：-
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：49A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：45 毫歐 @ 24.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 3mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：150nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7200pF @ 25V
功率 - 最大值：250W
安裝類型：底座安裝
封裝：SP1
供應(yīng)商器件封裝：SP1