APT8M100B參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： TO-247Front標(biāo)準(zhǔn)包裝：30系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：1000V（1kV）電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.8歐姆@4A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：60nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1885pF@25V功率-最大值：290W安裝類型：通孔封裝：TO-247-3供應(yīng)商器件封裝：TO-247[B]
